SK hynix представила первую в мире оперативную память формата DDR5

Новая память обеспечивает скорость передачи данных в 4800–5600 Мбит/с на контакт, что в 1,8 раза выше базовых показателей образцов текущего поколения. При этом напряжение питания было уменьшено с 1,2 до 1,1 В.

SK hynix представила первую в мире оперативную память формата DDR5

Корейская компания SK hynix анонсировала первую в мире оперативную память нового поколения — DDR5 DRAM (Double-Data-Rate Five Dynamic Random Access Memory). Новинка превосходит текущее поколение DDR4 по всем параметрам. Так, скорость передачи данных была повышена в 1,8 раза — до 4800–5600 Мбит/с на контакт.

При этом напряжение питания уменьшилось с 1,2 до 1,1 В, что делает новую память более энергоэффективной. Предусмотрена поддержка коррекции ошибок ECC — Error Correcting Code. По заявлению разработчиков, надёжность работы приложений на устройствах с DDR5 DRAM возрастёт в 20 раз по сравнению с нынешним поколением оперативной памяти. При использовании технологии производства Through-Silicon-Via (TSV) ёмкость модулей оперативной памяти SK hynix DDR5 DRAM может достигать 256 Гбайт.

Для начала DDR5 DRAM будет производиться для использования в составе серверных систем. По словам SK hynix, память нового поколения позволит значительно сократить энергопотребление и стоимость обслуживания дата-центров при одновременном увеличении производительности и надёжности. Тем временем Sony представила гаджет, превращающий любые обычные часы в умные.

Источник: SK hynix