realme GT Neo 6 получит сверхбыструю зарядку и чип Snapdragon 8s Gen 3

Авторитетный инсайдер под ником Digital Chat Station раскрыл некоторые интересные подробности о будущем субфлагмане realme GT Neo 6, выход которого запланирован на май 2024 года.

По данным источника, realme GT Neo 6 станет единственным устройством среди смартфонов на чипе Snapdragon 8s Gen 3, оснащённым сверхбыстрой зарядкой мощностью более 100 Вт.

Для сравнения текущие девайсы на таком чипе предлагают зарядку до 90 Вт. Например, Xiaomi Civi 4 Pro оснащён аккумулятором емкостью 4700 мАч с поддержкой быстрой зарядки мощностью 67 Вт, тогда как Redmi Turbo 3 получил аккумулятор на 5000 мАч с поддержкой зарядки мощностью 90 Вт, а Nubia Z9 Turbo — 6000 мАч с зарядкой до 80 Вт.

Стоит отметить, что недавно китайское ведомство 3C одобрило смартфон realme с номером модели RMX3852 и поддержкой быстрой зарядки мощностью 121 Вт.

Ожидается, что realme GT Neo 6 также получит 6,78-дюймовый LTPO OLED-дисплей с разрешением 1,5K и частотой обновления 120 Гц, до 16 ГБ оперативки и до 512 ГБ встроенной памяти, а также основную камеру на 50 Мп.

Читайте также:

• Раскрыта новая информация о суперфлагмане Samsung Galaxy S25 Ultra 
• Xiaomi выпустила две новые настольные лампы Mijia Lamp 2 и Mijia Lamp 2 Lite с возможностью подключения к HyperOS 
• Похоже, новый iPad Pro внезапно удивит секретным чипсетом Apple 
• Представлен игровой смартфон Infinix GT 20 Pro с дисплеем 144 Гц и специальным геймерским чипом 
• Первые подробности о HUAWEI Nova 13 Pro и Nova 13 Ultra 

Источник: GizmoChina