Выпущена первая в мире инновационная флэш-память 4D NAND

Корейская компания SK Hynix, являющаяся вторым крупнейшим производителем микросхем в мире, представила первую в истории инновационную флэш-память 4D NAND. Новинка представляет собой 96-слойную память TLC NAND, в которой используются технологии памяти с ловушкой заряда (CTF) и PUC (Peri. Under Cell). Плотность кристалла составляет 512 Гбит.

Приставка 4D означает использование не только вертикальной интеграции ячеек памяти, но и размещение в подлежащем слое периферийных цепей. Отметим, что подобная компоновка встречалась и ранее, так же как и технология CTF. Инновация SK Hynix заключается в одновременном применении и CTF, и PUC. Новое решение позволило уменьшить размеры кристалла более чем на 30%, а число чипов на пластине, напротив, увеличить на 49% по сравнению с 72-слойными кристаллами 3D NAND такой же плотности.

Источник: SK Hynix
Фото: SK Hynix

Читайте также:

• Почему оперативная память стоит так дорого?
• SSD и ОЗУ на одной плате: как будет развиваться индустрия памяти