Toshiba представила многослойные чипы памяти для емких и быстрых накопителей

Toshiba представила многослойные чипы памяти для емких и быстрых накопителей

Японская компания Toshiba анонсировала микросхемы памяти BiCS Flash нового поколения. Ключевыми особенностями новинок стали 48-слойная упаковка, высокая плотность (256 Гбит) и способность хранить три бита данных в каждой ячейке памяти (TLC).

Новые трехмерные чипы памяти типа BiCS (Bit Cost Scalable) FLASH, разработанные японской компанией Toshiba, состоят из 48 слоев и способны хранить до трех бит информации в одной ячейке (технология TLC). Плотность микросхем составляет 256 Гбит. Таким образом, одна микросхема вмещает 32 Гбайт данных.

По словам производителя, новые микросхемы памяти можно использовать в любых устройствах, начиная от твердотельных накопителей, карт памяти и смартфонов и заканчивая сверхнадежными системами хранения данных для дата-центов. К их преимуществам относятся высокая емкость, надежность чтения и записи и высокая скорость работы по сравнению с двухмерной памятью типа NAND Flash.

Поставки образцов чипов BiCS FLASH нового поколения начнутся в сентябре 2015 года. В дальнейшем для их массового производства Toshiba планирует задействовать мощности фабрики Fab2 объекта Yokkaichi Operations, возведение которой завершится в первой половине 2016 года.

Теги BiCS FLASH