Новый тип памяти будет сочетать лучшие характеристики Flash и DDR

Исследовательская группа из Университета Северной Каролины разработала устройство, которое совмещает характеристики «быстрой» и «медленной» памяти и может быть использовано в качестве оперативной памяти компьютера.

Память, сочетающая лучшие свойства флэш и DRAm Традиционно существует два типа памяти компьютера. «Медленная» память энергонезависима и позволяет сохранять информацию в течение продолжительных промежутков времени. Она используется для долговременного хранения данных в таких устройствах, как флэш-накопители или твердотельные диски.

«Быстрая» память обеспечивает высокую скорость выполнения операций в компьютерах, но не может спасти данные, если компьютеры выключаются. Необходимость постоянно подключенного источника питания делает ее весьма «чувствительной».

Но теперь исследовательская группа из Университета Северной Каролины разработала устройство, которое совмещает характеристики «быстрой» и «медленной» памяти и может быть использовано в качестве оперативной памяти компьютера. Его можно назвать полевым транзистором с двойным плавающим затвором (double floating-gate field effect transistor, FET). После его практической реализации исчезнет такое понятие как загрузка компьютера, поскольку не нужно будет переписывать данные и программы с жесткого диска в оперативную память — они останутся там и после выключения компьютера. Правда, возникнут дополнительные проблемы с обеспечением безопасности данных, но что делать. В крупных центрах обработки данных при снижении пользовательской активности можно будет экономить огромное количество электроэнергии, отключив серверные блоки (и мгновенно включив их опять в случае необходимости).

Подробная статья «Computing with Novel Floating-Gate Devices» будет опубликована 11 февраля в IEEE Computer.