SK Hynix представила память HBM3 — самая быстрая память DRAM в истории со скоростью почти 1 ТБ/с

Кроме того, это первый рабочий вариант памяти HBM3, следующее поколение после HBM2E, массовое производство которой началось летом 2020 года. 

Пропускная способность памяти SK Hynix HBM3 равна 819 ГБ/с, что почти на 80% быстрее, чем у HBM2E. В теории, если процессор соединен с 4 модулями такой памяти 4096-разрядной шиной, то общая пропускная способность превысит 3 ТБ/с. 

По словам производителя, стеки HBM3 будут доступны 2 версиях: на 16 или 24 ГБ (рекорд в отрасли). Микросхема памяти имеет высоту 30 мкм (тоньше бумаги). 

К сожалению, информации о том, когда память HBM3 начнут использовать массово в технике, нет. Но ожидать ее появления в серийных устройствах совершенно точно не стоит в этом году. И, возможно, даже следующем. Ставим на 2023 год. 

Из других интересных новостей: стартовали поставки ускорителей с многочиповыми GPU от AMD.

Источник: SK Hynix

Подписывайтесь на наш канал в Дзен, чтобы не пропустить самые интересные новости.