Память для мобильных устройств — компактнее и быстрее

Samsung Electronics начала поставлять опытные партии однокристальных микросхем DRAM DDR 2 с низким энергопотреблением емкостью четыре гигабита.

LPDDR2 30 нм LPDDR2 30 нм В феврале 2010 года Samsung разработал чип оперативной памяти LPDDR2 емкостью 2 Гб, выпускаемый по технологическим нормам 40-нанометрового класса, и с апреля поставляет это решение. Новый чип емкостью 4 Гб, выпуск которого будет осуществляться по технологии 30-нм класса, ориентирован на сегмент оперативной памяти для смартфонов и планшетных ПК, который будет активно развиваться в 2011 году. Опытное производство чипа началось в ноябре.

Новая микросхема LPDDR2 емкостью 4 Гб поддерживает скорость передачи данных до 1066 мегабит в секунду, то есть сравнима по производительности с чипами для ПК и более чем вдвое превосходит чипы оперативной памяти для мобильных устройств предыдущего поколения (MDDR), которые поддерживали скорость передачи данных 333 и 400 Мб/с.

До сегодняшнего дня в модулях LPDDR2 DRAM емкостью 8 Гб (1 ГБ) использовались четыре чипа по 2 Гб. Благодаря новым микросхемам такие модули на 20% тоньше (0,8 мм против 1,0 мм) и потребляют на 25% меньше энергии.

Это позволит создавать более тонкие и легкие мобильные устройства, дольше работающие от аккумулятора.

Компания также планирует выпустить модули DRAM LPDDR2 емкостью 16 Гб (2 ГБ), разместив в одном корпусе четыре чипа по 4 Гб.

ПОДЕЛИТЬСЯ


Предыдущая статьяБеспилотный Боинг провел в космосе 220 дней и вернулся на Землю
Следующая статьяОдин смартфон — дома и на работе
КОММЕНТАРИИ