В следующем году нас ждут смартфоны с 512 Гб памяти

Если вам вечно не хватает памяти на смартфоне, эта новость как раз для вас! Компания Samsung приступила к массовому производству модулей флэш-памяти eUFS емкостью 512 Гб, представляющих собой восемь 64-слойных микросхем V-NAND и контроллер. Так что уже в следующем году нас ждут новые модели смартфонов с увеличенным объемом встроенного хранилища.

Напомним, используемые сейчас модули памяти eUFS емкостью 256 Гб были представлены в феврале 2016-ого года, так что Samsung удалось удвоить объемы устройств хранения менее чем за 2 года. Последовательная скорость чтения и записи в новых модулях достигает 860 и 255 МБ/с соответственно. Получается, что ролик разрешением 1920х1080 пикселей размером 10 Гб теперь можно будет скопировать за 12 секунд. Производительность на операциях чтения и записи с произвольным доступом достигает 42 000 и 40 000 IOPS соответственно, что примерно в 400 раз превышает показатели microSD-карт.

Читайте также:
Флагманская раскладушка Samsung W2018 получила два 4,2-дюймовых дисплея
Samsung создала графеновый аккумулятор, заряжающийся всего за 12 минут

Источник: Samsung
Фото: Samsung