Samsung представила Z-SSD-накопитель с разъёмом PCI Express 3.0 x8

На мероприятии Cloud Expo Europe, открывшемся сегодня в Лондоне, компания Samsung представила новый твердотельный накопитель Z-SSD, оснащённый разъёмом PCI Express 3.0 x8. Устройство базируется на технологии Z-NAND, позволяющей обеспечить высокую скорость работы и устойчивость к износу. Объем накопителя — 800 Гб. Производитель заявляет, что латентность новинки на 70% ниже, чем у решений с интерфейсом NVMe.

Также сообщается, что Z-SSD имеет уникальное строение, включая дизайн контроллера, позволяющее устройству в 4 раза сократить задержки и в 1,6 раза поднять скорость последовательного чтения — по сравнению с Samsung PM963 NVMe. При записи и при чтении Z-SSD может развивать скорость до 3,2 Гбайт/с. Производительность на случайных операциях: 750 000 IOPS при чтении блоками объёмом 4 Кб и до 160 000 IOPS при операциях записи.

Источник: Samsung
Фото: Samsung