64-гигабитная память NAND Flash по 20-нанометровой технологии

Hynix начинает серийное производство 64-гигабитных устройств памяти NAND Flash на базе 20-нанометрового технологического процесса

Hynix NAND Flash по 20-нанометровой технологии Начато серийное производство устройств памяти NAND Flash, которые обеспечивают наибольшую из существующих сегодня на рынке плотность записи данных.

С помощью нового 20-нанометрового техпроцесса завод в Чео Нгу может начать выпуск 64-гигабитной памяти NAND Flash, которая обеспечит увеличение производительности на 60% по сравнению с 30-нанометровой технологией.

Также можно будет получать более дешевые и емкие NAND-схемы не только для твердотельных накопителей, но также для мобильных устройств и смартфонов.

Первые продукты, которые используют новые чипы памяти Hynix, появятся на рынке в конце этого года.