Новый модуль памяти Samsung c трехмерной упаковкой чипов

Высокая производительность новых модулей достигается благодаря методу «сквозного вертикального соединения» (through silicon via, TSV).

3D TSV 8GB RDIMM 3D TSV 8GB RDIMm 3D TSV 8GB RDIMM 3D TSV 8GB RDIMm Модуль памяти RDIMM емкостью 8 ГБ, использующий технологию Samsung 3D TSV, дает возможность экономить до 40% энергии по сравнению с обычными микросхемами RDIMM. Кроме того, обеспечивается кардинальное увеличение емкости чипов, что позволит сократить количество разъемов для модулей оперативной памяти в серверных системах следующего поколения.

Новый модуль памяти обеспечивает высокую производительность, в частности благодаря использованию метода трехмерной упаковки чипов под названием «сквозное вертикальное соединение» (through silicon via, TSV). Эта технология позволяет решить, казалось бы, взаимоисключающие задачи — снижение энергопотребления серверов при одновременном увеличении объема памяти и повышении производительности.

Согласно технологии TSV, в кристалле кремния проделываются вертикальные отверстия, которые затем заполняются медью. Заменив традиционные проводные соединения сквозными вертикальными соединениями, можно сделать сигнальные линии существенно короче, а многоуровневая микросхема станет сравнима по производительности с цельным кремниевым чипом.

Технология 3D TSV позволит повысить емкость модулей оперативной памяти более чем на 50%, что делает ее привлекательной для высокопроизводительных серверных систем. С 2012 года Samsung планирует внедрить ее в микросхемах, выполняемых по технологическим нормам класса 30 нм и менее.

ПОДЕЛИТЬСЯ


Предыдущая статьяВ Windows 8 будет трехмерный интерфейс
Следующая статьяIntel и AMD «убивают» стандарт VGA
КОММЕНТАРИИ