Накопители нового поколения

Накопители нового поколения

Современный компьютер не может обойтись без твердотельного диска. Благодаря накопителям данного типа операционная система, приложения и игры работают заметно быстрее, чем если бы они были установлены на классический HDD. Последние все чаще применяются исключительно в роли запоминающего устройства для долговременного хранения больших объемов данных вследствие низкой цены гигабайта дискового пространства. Современные SSD-носители с разъемом SATA [...]

Современный компьютер не может обойтись без твердотельного диска. Благодаря накопителям данного типа операционная система, приложения и игры работают заметно быстрее, чем если бы они были установлены на классический HDD. Последние все чаще применяются исключительно в роли запоминающего устройства для долговременного хранения больших объемов данных вследствие низкой цены гигабайта дискового пространства.

Современные SSD-носители с разъемом SATA ограничивают возможности микросхем флеш-памяти. Корпусы в 2,5 дюйма были разработаны для магнитных дисков, которые можно было бы использовать в тонких ноутбуках. Размер корпусов при этом соответствует вращающимся металлическим пластинам, данные с которых читает считывающая головка.

Встречающийся в современных компьютерах интерфейс SATA последнего поколения предусматривает пропускную способность до 600 Мбайт/с. А сами твердотельные накопители состоят из небольших горизонтально расположенных микросхем памяти.

Микросхема управления (контроллер) одновременно читает или записывает несколько ячеек одного твердотельного накопителя, и происходит это намного быстрее, чем когда данные пересылаются по SATA.

Скоро на материнских платах для ПК и ноутбуков появится новый разъем, который сможет действительно раскрыть потенциал технологии флеш-памяти и позволит совершить значительный рывок в увеличении пропускной способности до нескольких гигабайт в секунду. Станет возможным наращивание не только скорости передачи данных, но и плотности записи.

Из-за обвала цен на микросхемы памяти SSD объемом в 500 Гбайт станут общедоступны. А благодаря новой структуре ячеек флеш-памяти появятся доступные терабайтные SSD.

Высокая скорость

SSD нового поколения будут работать быстрее всех доступных сегодня на рынке устройств. Они станут подключаться к материнской плате по шине SATA Express (SATAe) — новому интерфейсу передачи данных, в котором будут использоваться как линии PCI Express, так и старые линии SATA для совместимости с накопителями предыдущих поколений.

SATA
SSD-накопители могут записывать данные гораздо быстрее, но их пропускную способность ограничивает SATA-интерфейс. Новый SATA Express позволяет обойти это ограничение, значительно увеличив скорость твердотельных накопителей.

Пропускная способность SATA не превышает 600 Мбайт/с, старого разъема PCIe 2.0 — 500 Мбайт/с на каждую линию, а для нового PCIe 3.0 этот показатель составляет 1 Гбайт/с на линию.

В порте, который служит для подключения SATAe SSD, задействованы как минимум две линии связи PCIe, поэтому скорость передачи данных по нему составляет не менее 1 Гбайт/с.

Однако SATAe — это не только новый разъем, но и обновление программного интерфейса. Из соображений совместимости SATAe под­держивает стандарт AHCI, который дебютировал еще в 2004 году и преимущественно ориентирован на работу с относительно медленными накопителями на основе магнитных дисков.

Новый стандарт NVM Express (Non-volatile memory) создавался с нуля с учетом особенностей функционирования твердотельной памяти. В нем существенно улучшен параллелизм, увеличено количество очередей и их длина, уменьшена вносимая контроллером задержка и т. д. Все это позволит полностью раскрыть потенциал твердотельных накопителей.

Новый форм-фактор для мобильных ПК

SSD с интерфейсом PCIe, скорость обмена данными с которыми достигает 4 Гбайт/с, уже применяются в серверах, однако за неимением соответствующих драйверов использовать их в ПК не представляется возможным. Исключение составляют решения вроде OCZ RevoDrive, которые приходится настраивать вручную.

SSD M.2
Ключи (вырезы) в разъеме М.2 показывают, сколько линий передачи данных могут задействовать накопители. Ключ с идентификатором «B» (слева) у Plextor M6e свидетельствует об использовании двух линий, а ключ «M» (справа) у Samsung XP941 — четырех.

Для типичного домашнего пользователя переход на твердотельные диски нового поколения начался с уст­ройств в новом форм-факторе M.2. Разъемом для их подключения уже оснащаются некоторые современные лэптопы и материнские платы для настольных ПК.

Накопитель в новом форм-факторе представляет собой печатную плату длиной от 30 до 110 мм и шириной 22 мм с микросхемами флеш-памяти и контроллером. В зависимости от того, какое устройство установлено в разъем M.2, передача информации может осуществляться как по линиям SATA 6 Гбит/c, так и PCIe (до четырех). Plextor M6e и Samsung XP941 — это первые SSD с интерфейсом М.2, задействующие линии PCIe.

К сожалению, на первых системных платах на базе чипсетов Intel H97 и Z97 под разъем M.2 отводится не более двух линий PCIe, что может замедлить работу некоторых моделей SSD, например, Samsung XP941.

Для достижения максимальной скорости потребуется приобрести либо SSD-адаптер для слота PCIe, либо системную плату ASRock Z97 Extreme6, которая может задействовать все четыре линии PCIe для M.2. Диски в 2,5-дюймовом форм-факторе, передающие данные по линиям PCIe через разъем SATAe, станут доступны позже.

Crystal Disk Mark
Даже у такого быстрого SSD, как Samsung 840 Pro, подключаемого по SATA, нет шансов в сравнении с дисками Plextor и Samsung, поддерживающих интерфейс M.2. Максимальный результат показала модель XP941, задействующая четыре линии PCIe.

Гигантские SSD с 3D-памятью

Уменьшение ячеек памяти позволяет увеличить плотность хранения данных. При этом снижается цена за гигабайт пространства. 2D-ячейки вряд ли могут быть уменьшены еще больше, поэтому производители обращаются к трехмерному типу ячеек.

Сегодня емкость доступных жестких дисков достигает нескольких терабайт, а SSD — всего 250–500 Гбайт. Но уже в скоро ситуация может кардинально измениться. Для этого нужно изменить размеры и структуру ячеек флеш-памяти. Популярные микросхемы флеш-памяти типа NAND выпускаются, как и транзисторы ЦП, на полупроводниковых пластинах и функционируют аналогичным образом.

Принципиальное отличие состоит в том, что ячейки флеш-памяти могут долго хранить электрический заряд на плавающем затворе. Ячейки до 20 нм технически возможны, однако с каждым этапом уменьшения размера ячеек затраты и издержки на производство увеличиваются, поэтому производители планируют перейти на другой тип ячеек — 3D NAND.

SSD
На базе MLC-ячеек можно создать SSD емкостью до 4 Тбайт, такой как SanDisk Optimus Max (справа) , но это будет стоить больших денег. Диски на базе TLC-ячеек, как Samsung PM853T (слева) , дешевле, но быстрее изнашиваются.

Сегодня емкость твердотельного накопителя — это вопрос цены. Емкость дисков Optimus Max производства SanDisk составляет 4 Тбайт, но покупать их могут только крупные компании, которые в состоянии платить сотни тысяч рублей за один носитель. Samsung и Toshiba идут другим путем: они выпускают накопители, ячейки которых могут хранить три бита информации (TLC, Triple-Level Cells).

Таким образом, ячейки памяти способны удерживать на плавающем затворе восемь уровней электрического заряда. Каждый уровень определяется комбинацией битов от 0 0 0 до 1 1 1.

Трехуровневая структура позволяет существенно увеличить плотность записи при одних и тех же размерах и цене по сравнению с одноуровневой (SLC), но выдерживает всего тысячу циклов перезаписи.

Samsung выпустила серверный TLC-диск PM853T, показатель DWPD (Diskful Writes per Day, количество перезаписей диска в день) которого составляет 0,3–1,6 перезаписей при гарантированном жизненном цикле в пять лет. Данный показатель для SLC-дисков серверного класса составляет в среднем от 10 до 30 перезаписей, поэтому PM853T лучше применять для хранения редко обновляемых и постоянно запрашиваемых данных.

NAND
Ячейки флеш-памяти хранят электрический заряд на плавающем затворе. Для того, чтобы заряд сохранялся, нужен плотный изолирующий слой. Поэтому выигрыш в емкости для хранения данных при уменьшении размера ячейки не имеет значения.

Пределы двумерной флеш-памяти

Появление доступных и долговечных терабайтных SSD возможно только в случае дальнейшего уменьшения размеров ячеек памяти. Но при достижении 20 нм порога возникают дополнительные проблемы.

Для формирования в пластине полупроводника столь маленьких элементов используется лазер с длиной волны в 193 нм. «Выжигать» линии, которые меньше длины волны, возможно только при помощи масок и многократного облучения.

Кроме того, при столь тонких технологических процессах, как 20 нм, толщина некоторых структурных элементов ячеек памяти составляет всего несколько слоев атомов, и уменьшить их еще больше просто невозможно.

SSD 2016
Потенциал 2D-ячеек исчерпается в 2016 году, поэтому производители памяти все чаще обращаются к использованию 3D-ячеек, которые имеют больше слоев и высокую плотность хранения.

Ахиллесова пята находится между управляющим и плавающим затворами, и называется она изолирующим слоем (Interpoly Dielectric Layer, IPD). При записи информации на управляющий затвор подается напряжение, и между стоком и истоком транзистора возникает поток электронов. Некоторым электронам удается преодолеть слой изолятора благодаря большей энергии, и они попадают в плавающий затвор, где могут находиться довольно продолжительное время, пока к управляющему затвору не будет приложено большое отрицательное напряжение, а электроны перетекут на исток (процедура перезаписи).

Слой изоляции необходим для того, чтобы плавающий затвор сохранял заряд между процессами записи и чтения, то есть хранил данные. Толщина изолирующего слоя должна быть не менее 10 нм, иначе электроны из плавающего затвора будут утекать через исток, и ячейка утратит способность хранить данные.

Чем меньше ячейки флеш-памяти, тем меньше расстояние между ними. Если плавающие затворы соседних ячеек расположены друг к другу ближе 20 нм, толщину изолирующего слоя нужно увеличить во избежание утечки электронов из одной ячейки в другую. Даже при решении всех проблем с производством вопрос уменьшения толщины изолирующего слоя и расстояния между плавающими затворами остается открытым, потому выигрыш в плотности записи данных при техпроцессе от 21 до 12 нм (в зависимости от материалов) будет несущественным.

Трехмерные ячейки повысят емкость

Если ячейки флеш-памяти располагать не в одной плоскости, а использовать трехмерную структуру, можно добиться большей плотности хранения данных.

Ограничения возможностей 2D NAND можно преодолеть другим способом: не располагать ячейки в одной плоскости, а упаковать их в трехмерную структуру — чем больше слоев, тем выше плотность записи.

В этом году Samsung представила свой концепт трехмерной памяти V-NAND, которая включает 24 слоя ячеек флеш-памяти. У большой многослойной структуры с вертикальным расположением ячеек свои преимущества: V-NAND использует небольшое напряжение и выдерживает 35 000 циклов перезаписи. Как заявляет Samsung, скорость записи также увеличилась.

Производитель планирует к 2018 году увеличить плотность чипов с 128 Гбит до 1 Тбит, что станет возможным при увеличении количества слоев.

VNAND
В 2013 году Samsung уже показал терабайтные накопители на базе памяти V-Nand. Первое поколение ячеек использовало 24 слоя. К 2018 году количество слоев планируется увеличить до 192, значительно повысив плотность записи информации.

Чисто технически V-NAND мало чем отличается от технологии Bit-Cost Scalable Flash (BiCS) разработки To­shiba. BiCS удерживает электрические заряды на записываемом слое из нитрида кремния, окруженного двумя слоями окисной пленки. Ячейку окружает управляющий затвор, выводящий электрический заряд со слоя, на который производится запись.

VNAND SSD
Технология V-NAND позволяет располагать ячейки вертикально, формируя 3D-структуру. Один чип может иметь до 24 слоев ячеек памяти. Электрический заряд хранится в специальной изолированной области ячейки.

Принцип работы V-NAND такой же, но материалы слоев принципиально другие: записывающий слой окружен не пленкой на основе окиси кремния, а алюминиевым диэлектриком, выполненным по технологии high-k. Использование нитрида тантала в управляющем затворе, по заявлению Samsung, позволяет быстрее стирать ячейки. Новые материалы обеспечивают большее расстояние между уровнями заряда, что продлевает срок службы памяти.

BiCS
BiCS-чипы состоят из нескольких слоев затворов и диэлектриков, в которых имеются отверстия для каналов из поликристаллического кремния. Поскольку все ячейки одного слоя связаны между собой, перезапись или удаление информации происходит вертикальными слоями, активация которых производится с помощью затворов выборки.

Отраслевые источники утверждают, что себестоимость трехмерного 40-слойного чипа памяти такая же, как двумерного, а это означает, что SSD емкостью в несколько терабайт наконец-то станут доступными.

Фотографии в статье: компании-производители; Klaus Satzinger ИНФОГРАФИКА: Veronika Zangl

Рекомендуем