Компания NXP представила технологию для базовых станций с интенсивным использованием полосы пропускания

5

Компания NXP представила транзисторы восьмого поколения Gen8 LDMOS для беспроводных базовых станций.

Новая технология от NXP призвана обеспечить эффективность мультистандартных усилителей мощности Догерти Новая технология от NXP призвана обеспечить эффективность мультистандартных усилителей мощности Догерти Новинки позволяют расширить полосу пропускания сигнала до 60 МГц и предоставляют оптимизированную схему согласования ввода/вывода для создания широкополосных недорогих компактных мультистандартных усилителей мощности Догерти.

В настоящее время компания NXP выпускает опытные образцы транзисторов Gen8 LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor – смещенно-диффузная МОП технология на основе кремния) для частот до 960 МГц для усилителей мощности в GSM-системах с использованием множества несущих. Вторая очередь опытных образцов для диапазонов GSM-WCDMA-LTE (1800, 1900 и 2100 МГц) появится до конца 2011 г.

LDMOS технология компании NXP в мощных СВЧ транзисторах обычно использует напряжения от 28 до 32 В и обеспечивает рекордные рабочие частоты до 3,8 ГГц, а пиковые уровни мощности выше 500 Вт (P3dB) для ВЧ коррекции теперь достижимы в компактном, недорогом корпусе типоразмера SOT502. Кроме того, расширенная полоса пропускания видео позволяет задействовать весь выделенный диапазон частот.

LDMOS транзисторы Gen8 будут доступны начиная с III квартала 2011 г.

Новинки уже были представлены на выставке на международном симпозиуме IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS2011), который прошел в Балтиморе с 6 по 9 июня 2011 г.

ПОДЕЛИТЬСЯ


Предыдущая статьяAMD Fusion APU уже задействовали в более чем 50 приложениях
Следующая статьяНовые ноутбуки HP на базе процессоров AMD
КОММЕНТАРИИ



    Загрузка...
    MEDIAMETRICS