Intel прогнозирует появление 7-нм чипов в 2018 году
Фото: Thomas Cloer/Flickr.com

На прошедшей на днях конференции по твердотельной памяти International Solid-State Circuits Conference (ISSCC 2015) представители Intel поделились своим видением относительно будущего полупроводниковой индустрии. По словам Марка Бохра, руководителя Intel Technology Manufacturing Group, используя современные технологии производства полупроводниковых чипов, к 2016 году удастся наладить выпуск 10-нм микросхем, а к 2018 году — 7 нм. Затем, однако, понадобится кардинально изменить технологический процесс, например, использовать сверхпередовые ультрафиолетовые лазеры.

Закон Мура, сформулированный 50 лет назад одним из основателей Intel Гордоном Муром, гласит, что количество транзисторов в полупроводниковом чипе удваивается каждые 18 месяцев. До сих пор это эмпирическое правило выполнялось, однако в последнее время у некоторых экспертов возникли сомнения, что темпы развития полупроводниковой отрасли останутся прежними. По мере уменьшения размеров транзистора технология производства становится все сложнее, а ввиду достижения физических пределов веществ инженеры вынуждены использовать новые материалы и прибегать к различным ухищрениям.

В настоящее время корпорация Intel уже выпускает микропроцессоры Broadwell по нормам 14-нм технологического процесса. Специалисты компании ожидают, что переход на 10-нм технологию займет на 50% меньше времени, нежели на 14-нм, поскольку в последнем случае Intel столкнулась с рядом трудностей.

ПОДЕЛИТЬСЯ


Предыдущая статьяПрактический тест Tesla Model S
Следующая статьяJDI создала энергоэффективный дисплей для носимой электроники

КОММЕНТАРИИ